转自凤凰网——2026年07月06日07:57   来源https://news.ifeng.com/c/8uX0teFGLMX

2026年7月4日，存储行业国际龙头美光科技正式启动日本广岛存储工厂扩建项目，本次项目总投资折合93亿美元，工厂全部产能将用于生产AI服务器专用HBM高带宽内存与企业级NAND闪存，预计2028年下半年实现批量出货，这也是近期海外存储巨头第三笔千亿级产能扩张计划，侧面印证全球AI存储长期供不应求的行业现状。

根据集邦咨询行业调研数据，当前全球HBM存储供需缺口将持续至2027年底，英伟达、AMD高端GPU配套HBM产品长期处于供不应求状态。美光本次扩建规划明确，新厂区完全放弃手机、PC等消费级存储芯片生产，所有产线定向服务全球智算中心、超算项目客户，日本政府同步配套5000亿日元产业补贴，降低企业扩产成本，加速高端存储产能落地。

不止美光，韩国存储双龙头同步释放重磅产业动作。三星电子于7月3日向全球下游客户下发三季度调价通知，服务器专用DDR5存储合约价最高上调20%，同时规划100万亿韩元升级本土存储产线，优先扩充HBM、大容量企业级闪存产能；SK海力士披露514亿美金新建NAND闪存工厂计划，全部产能聚焦数据中心SSD配套颗粒生产。三大海外原厂同步收缩消费级产能、倾斜AI高端存储，直接造成常规企业级SSD闪存颗粒现货价格持续上涨，2026年二季度NAND Flash合约价格环比涨幅达到55%-60%。

技术迭代维度，铠侠与闪迪联合研发的第十代332层BiCS 10闪存芯片已于7月初开启工程样品交付，首款1Tb TLC大容量闪存样品面向企业级SSD厂商开放测试，新一代堆叠工艺能够在同等硬件体积下提升3倍存储容量，适配万卡级AI算力集群海量存储部署需求。三星同期官宣HBM4E存储芯片良率突破70%，第七代DRAM先进工艺将于11月完成认证，持续巩固海外厂商在高端算力存储的技术优势。

全球大厂集体加码高端AI存储，也为国内存储产业链带来明确发展机遇。海外厂商重心向HBM、超高密度闪存倾斜后，中端企业级SSD、通用存储主控赛道出现巨大市场空白，长江存储、长鑫存储持续释放成熟制程闪存、DRAM颗粒，为国内SSD整机、主控芯片企业提供稳定上游支撑。多家行业机构建议，国内存储硬件厂商可抓住2026-2027年产业窗口期，持续优化国产存储主控的多通道读写、大容量兼容性能，深耕国内政企、算力中小企业市场，快速提升国产SSD产品市场占有率。